Mfr# | FCH35N60 |
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Mfr. | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
기술 | MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 |
RoHS 상태 | 무연 / RoHS 준수 |
추가 정보 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor FCH35N60에 대한 자세한 정보 |
사양서 | FCH35N60.pdf |
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제품 모델 | FCH35N60 |
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제조사 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
기술 | MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
사용 가능한 양 | 8478 pcs |
사양서 | FCH35N60.pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA |
Vgs (최대) | ±30V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | TO-247-3 |
연속 | SuperMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 98 mOhm @ 17.5A, 10V |
전력 소비 (최대) | 312.5W (Tc) |
포장 | Tube |
패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Through Hole |
수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6640pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 181nC @ 10V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V |
상세 설명 | N-Channel 600V 35A (Tc) 312.5W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Tc) |