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CY7C1911JV18-300BZC

Mfr# CY7C1911JV18-300BZC
Mfr. Cypress Semiconductor
기술 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
RoHS 상태 납 함유 / RoHS 비 준수
추가 정보 Cypress Semiconductor CY7C1911JV18-300BZC에 대한 자세한 정보
사양서 CY7C1911JV18-300BZC.pdf

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기술

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제품 모델 CY7C1911JV18-300BZC
제조사 Cypress Semiconductor
기술 IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 양 5798 pcs
사양서 CY7C1911JV18-300BZC.pdf
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
전압 - 공급 1.7 V ~ 1.9 V
과학 기술 SRAM - Synchronous, QDR II
제조업체 장치 패키지 165-FBGA (13x15)
연속 -
포장 Tray
패키지 / 케이스 165-LBGA
다른 이름들 CY7C1911JV18300BZC
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA)
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours)
메모리 유형 Volatile
메모리 크기 18Mb (2M x 9)
메모리 인터페이스 Parallel
메모리 형식 SRAM
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS non-compliant
상세 설명 SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (2M x 9) Parallel 300MHz 165-FBGA (13x15)
클럭 주파수 300MHz
기본 부품 번호 CY7C1911

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