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IXFK170N10P Image
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IXFK170N10P

Mfr# IXFK170N10P
Mfr. IXYS Corporation
기술 MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
RoHS 상태 무연 / RoHS 준수
추가 정보 IXYS IXFK170N10P에 대한 자세한 정보
사양서 IXFK170N10P.pdf

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기술

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제품 매개 변수

제품 모델 IXFK170N10P
제조사 IXYS Corporation
기술 MOSFET N-CH 100V 170A TO-264
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 양 4482 pcs
사양서 IXFK170N10P.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 4mA
Vgs (최대) ±20V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-264AA (IXFK)
연속 HiPerFET™, PolarP2™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 9 mOhm @ 500mA, 10V
전력 소비 (최대) 715W (Tc)
포장 Bulk
패키지 / 케이스 TO-264-3, TO-264AA
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 26 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6000pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 198nC @ 10V
FET 유형 N-Channel
FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 100V
상세 설명 N-Channel 100V 170A (Tc) 715W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 170A (Tc)

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