집제품 센터이산 반도체 제품다이오드 브리지 정류기KBP306G C2G
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KBP306G C2G

Mfr# KBP306G C2G
Mfr. Taiwan Semiconductor
기술 BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A KBP
RoHS 상태
추가 정보 Taiwan Semiconductor Corporation KBP306G C2G에 대한 자세한 정보
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기술

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제품 매개 변수

제품 모델 KBP306G C2G
제조사 Taiwan Semiconductor
기술 BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A KBP
무연 여부 / RoHS 준수 여부
사용 가능한 양 0 pcs
사양서 1.KBP306G C2G.pdf 2.KBP306G C2G.pdf
제공된 다리미, 족집게, 손잡이 1.1 V @ 3 A
쉘 크기 - 삽입 4-SIP, KBP
회 전자 관성 10 µA @ 800 V
등급 -
전력 (W) - 최대 800 V
히스테리시스 KBP
플럭스 유형 3 A
코드 종단 Standard
색상 - 강화 -55°C ~ 150°C (TJ)
액추에이터 길이, 직각 Through Hole
앱솔루트 풀 범위 (APR) Single Phase

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