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TP65H070LDG-TR Image
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TP65H070LDG-TR

Mfr# TP65H070LDG-TR
Mfr. Transphorm
기술 650 V 25 A GAN FET
RoHS 상태
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기술

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제품 매개 변수

제품 모델 TP65H070LDG-TR
제조사 Transphorm
기술 650 V 25 A GAN FET
무연 여부 / RoHS 준수 여부
사용 가능한 양 1224 pcs
사양서
쉘 크기 - 삽입 3-PowerDFN
감도 (mV / ° / s) 4.8V @ 700µA
저항 (Ohms) 9.3 nC @ 10 V
후면 패널 와이어 연결 96W (Tc)
등급 TP65H070L
전력 (W) ±20V
외경 25A (Tc)
키트 내용 10V
삽입 손실 @ 주파수 N-Channel
히스테리시스 3-PQFN (8x8)
게이트 유형 -
전면 패널 와이어 연결 85mOhm @ 16A, 10V
코드 종단 GaNFET (Gallium Nitride)
색상 - 강화 -55°C ~ 150°C (TJ)
색상 - 액추에이터 / 캡 650 V
중심선 600 pF @ 400 V
액추에이터 길이, 직각 Surface Mount

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